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    大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极，“一”为输出电压的负极，两个“～”为交流电压输入端)，很容易确定出各电极。检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成，检测时，可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量。正常时，其正向电阻值(黑表笔接正极)为～，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端肖特基二极管应先测出其公共端，判别出是共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值。整流桥堆全桥的极性判别方法极性的判别1)外观判别法。 半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路。吉林英飞凌infineon整流桥模块销售

    所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管d及所述第五电容c5连接所述第二线圈的另一端。如图6所示，所述二极管d的正极连接所述变压器的第二线圈，负极连接所述第五电容c5。如图6所示，所述负载连接于所述第五电容c5的两端。具体地，在本实施例中，所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述二极管d的负极，负极连接所述第五电容c5与所述变压器的连接节点。如图6所示，所述第三采样电阻rcs3的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于两绕组flyback(3w～25w)。实施例四本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一～三的不同之处在于，所述合封整流桥的封装结构1还包括电源地管脚bgnd，所述整流桥的第二输出端不连接所述信号地管脚gnd，而连接所述电源地管脚bgnd，相应地，所述整流桥的设置方式也做适应性修改，在此不一一赘述。如图7所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组与实施例二的不同之处在于，所述电源模组中的合封整流桥的封装结构1采用本实施例的合封整流桥的封装结构1，还包括第六电容c6及第二电感l2。具体地。 天津英飞凌infineon整流桥模块厂家电话多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。

    如上所述，本实用新型的合封整流桥的封装结构及电源模组，具有以下有益效果：本实用新型的合封整流桥的封装结构及电源模组将整流桥、功率开关管、逻辑电路通过一个引线框架封装在同一个塑封体中，以此减小封装成本。附图说明图1显示为本实用新型的合封整流桥的封装结构的一种实现方式。图2显示为本实用新型的电源模组的一种实现方式。图3显示为本实用新型的合封整流桥的封装结构的另一种实现方式。图4显示为本实用新型的电源模组的另一种实现方式。图5显示为本实用新型的合封整流桥的封装结构的又一种实现方式。图6显示为本实用新型的电源模组的又一种实现方式。图7显示为本实用新型的电源模组的再一种实现方式。元件标号说明1合封整流桥的封装结构11塑封体12控制芯片121功率开关管122逻辑电路13高压供电基岛14信号地基岛15漏极基岛16火线基岛17零线基岛18采样基岛具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

    目录1整流桥模块的原理2整流桥模块的结构特点3整流桥模块的优点4整流桥模块的分类展开1整流桥模块的原理其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。对一般常用的小功率整流桥（如：RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M）进行解剖会发现，其内部的结构如图2所示，该全波整流桥采用塑料封装结构（大多数的小功率整流桥都是采用该封装形式）。桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。在直流输出引脚铜板间有两块连接铜板，他们分别与输入引**流输入导线）相连，形成我们在外观上看见的有四个对外连接引脚的全波整流桥。由于该系列整流桥都是采用塑料封装结构，在上述的二极管、引脚铜板、连接铜板以及连接导线的周围充满了作为绝缘、导热的骨架填充物质——环氧树脂。然而，环氧树脂的导热系数是比较低的（一般为℃W/m，比较高为℃W/m），因此整流桥的结--壳热阻一般都比较大（通常为℃/W）。通常情况下，在元器件的相关参数表里。 整流桥由控制器的控制角控制,当控制角为0°～90°时，整流桥处于整流状态,输出电压的平均值为正。

    高压端口hv通过金属引线连接所述高压供电基岛13，进而实现与所述高压供电管脚hv的连接，接地端口gnd通过金属引线连接所述信号地基岛14，进而实现与所述信号地管脚gnd的连接。需要说明的是，所述逻辑电路122可根据设计需要设置在不同的基岛上，与所述控制芯片12的设置方式类似，在此不一一赘述作为本实施例的一种实现方式，所述漏极管脚drain的宽度大于，进一步设置为～1mm，以加强散热，达到封装热阻的作用。本实施例的合封整流桥的封装结构采用三基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路及高压续流二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图4所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实施例的合封整流桥的封装结构1，第二电容c2，第三电容c3，一电感l1，负载及第二采样电阻rcs2。如图4所示，所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线，零线管脚n连接零线，信号地管脚gnd接地。如图4所示，所述第二电容c2的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端接地。如图4所示，所述第三电容c3的一端连接所述1高压供电管脚hv，另一端经由所述一电感l1连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。如图4所示。 流桥的构造如，可以将输入的含有负电压的波形转换成正电压。吉林英飞凌infineon整流桥模块销售

常用的国产全桥有佑风YF系列，进口全桥有ST、IR等。吉林英飞凌infineon整流桥模块销售

    从前面对整流桥带散热器来实现其散热过程的分析中可以看出，整流桥主要的损耗是通过其背面的散热器来散发的，因此在此讨论整流桥壳温如何确定时，就忽约其通过引脚的传热量。现结合RS2501M整流桥在110VAC电源模块上应用的损耗(大为)来分析。假设整流桥壳体外表面上的温度为结温(即)，表面换热系数为(在一般情况下，强迫风冷的对流换热系数为20~40W/m2C)。那么在环境温度为，通过整流桥正表面散发到环境中的热量为:忽约整流桥引脚的传热量，则通过整流桥背面的传热量为:由于在整流桥壳体表面上的两个传热途径上(壳体正面、壳体背面)的热阻分别为:根据热阻的定义式有:所以:由上式可以看出:整流桥的结温与壳体正面的温差远远小于结温与壳体背面的温差，也就是说，实际上整流桥的壳体正表面的温度是远远大于其背面的温度的。如果我们在测量时，把整流桥壳体正面温度(通常情况下比较好测量)来作为我们计算的壳温，那么我们就会过高地估计整流桥的结温了!那么既然如此，我们应该怎样来确定计算的壳温呢?由于整流桥的背面是和散热器相互连接的，并且热量主要是通过散热器散发，散热器的基板温度和整流桥的背面壳体温度间只有接触热阻。一般而言，接触热阻的数值很小。 吉林英飞凌infineon整流桥模块销售