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    通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管（英语：Thyristor），简称晶闸管，指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。早出现与主要的一种是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中国大陆通常简称可控硅，又称半导体控制整流器，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件，为一代半导体电力电子器件。晶闸管的特点是具有可控的单向导电，即与一般的二极管相比，可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。发展历史/晶闸管编辑半导体的出现成为20世纪现代物理学其中一项重大的突破，标志着电子技术的诞生。而由于不同领域的实际需要，促使半导体器件自此分别向两个分支快速发展，其中一个分支即是以集成电路为的微电子器件，特点为小功率、集成化，作为信息的检出、传送和处理的工具；而另一类就是电力电子器件，特点为大功率、快速化。1955年，美国通用电气公司研发了世界上一个以硅单晶为半导体整流材料的硅整流器（SR）。 有的三个腿一般长，从左至右，依次是阴极、阳极和门极。福建进口Infineon英飞凌晶闸管模块厂家直销

    晶闸管晶体闸流管简称为品闸管，也叫做可控硅，是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。因为它可以像闸门一样控制电流，所以称之为“晶体闸流管”。晶体闸流管是常用的功率型半导体控制器件之一，具有的用途。如图4-42所尔为部分常见晶体闸流管。晶体闸流管种类和规格很多，适用于各种不同的场合。根据控制特性的不同，晶体闸流管可分为单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管、正向阻断晶闸管、反向阻断晶闸管、光控晶闸管等。根据电流容量的不同，晶体闸流管可分为小功率管、功率管和大功率管。根据关断速度的不同，晶体闸流管可分为普通晶闸管和高频晶闸管（工作频率>lOkHz）。根据封装和外观形式的不同，晶体闸流管可分为塑封式、陶瓷封装式、金属壳封装式、大功率螺栓式和平板式等。双向晶闸管是在单向晶闸管的基础之上开发出来的，是一种交流型功率控制器件。双向品闸管不仅能够取代两个反向并联的单向晶闸管，而且只需要一个触发电路，使用很方便。可关断晶闸管也称为门控晶闸管，是在普通晶闸管基础上发展起来的功率型控制器件。怎样识别晶闸管晶体闸流管的文字符号为“VS”，图形符号如图4-43所示。国产晶体闸流管的型号见表4-3。 湖北进口Infineon英飞凌晶闸管模块哪家好在使用过程中，晶闸管对过电压是很敏感的。

    逆导晶闸管以往的城市电车和地铁机车为了便于调速采用直流供电，用直流开关动作增加或减小电路电阻，改变电路电流来控制车辆的速度。但它有不能平滑起动和加速。开关体积大、寿命短，而且低速运行时耗电大（减速时消耗在启动电阻上）等缺点。自有了逆导晶闸管，采用了逆导晶闸管控制、调节车速，克服了上述缺点，而且还降低了功耗，提高了机车可靠性。晶闸管晶闸管逆导晶闸管是在普通晶闸管上反向并联一只二极管而成（同做在一个硅片上。它的等效电路和符号如图1所示。它的特点是能反向导通大电流。由于它的阳极和阴极接入反向并联的二极管，可对电感负载关断时产生的大电流、高电压进行快速释放。目前已经能生产出耐压达到1500～2500V正向电流达400A。吸收电流达150A，关断时间小于30微秒的逆导晶闸管。可关断晶闸管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。晶闸管晶闸管前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强迫关断。这就需要增加换向电路，不使设备的体积重量增大，而且会降低效率。

    1.选择晶闸管的类型晶闸管有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通晶闸管。若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断晶闸管。若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用立创商城晶闸管。若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作。

    影响串联运行电压分配不均匀的因素主要有以下几个：1、静态伏安特性对静态均压的影响。不同元件的伏安特性差异较大，串联使用时会使电压分配不均衡。同时，半导体器件的伏安特性容易受温度的影响，不同的结温也会使均压性能受到影响。[1]2、关断电荷和开通时间等动态特性对动态均压的影响。晶闸管串联运行，延迟时间不同，门极触发脉冲的大小不同，都会导致阀片的开通适度不同。阀片的开通速度不同，会引起动态电压的不均衡。同时关断时间的差异也会造成各晶闸管不同时关断的现象。关断电荷少，则易关断，关断时间也短，先关断的元件必然承受高的动态电压。[1]晶闸管串联技术的根本目的的是保证动、静态特性不同的晶闸管在串联后能够安全稳定运行且都得到充分的利用。这就涉及到串联晶闸管的元件保护、动态和静态均压、触发一致性、反向恢复过电压的抑制、开通关断缓冲等一系列问题。[1]主要参数/晶闸管编辑为了正确选用晶闸管元件，必须要了解它的主要参数，一般在产品的目录上都给出了参数的平均值或极限值，产品合格证上标有元件的实测数据。(1)断态重复峰值电压UDRM在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 晶闸管的主要参数有反向最大电压，是指门极开路时，允许加在阳极、阴极之间的比较大反向电压。福建进口Infineon英飞凌晶闸管模块厂家直销

大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。福建进口Infineon英飞凌晶闸管模块厂家直销

    [1]维持电流I：是指晶闸管维持导通所必需的小电流，一般为几十到几百毫安。IH与结温有关，结温越高，则I越小。擎住电流I：是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的小电流。对同一晶闸管来说，通常I约为I的2～4倍。[1]浪涌电流I：浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。断态电压临界上升率du/dt：是指在额定结温、门极开路的情况下，不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压大上升率。通态电流临界上升率di/dt：指在规定条件下，晶闸管能承受的大通态电流上升率。如果di/dt过大，在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲，使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求：①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通；②触发脉冲应有足够的幅度，对一些温度较低的场合，脉冲电流的幅度应增大为器件大触发电流的3～5倍，脉冲的陡度也需要增加，一般需达1～2A/μs；③所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。 福建进口Infineon英飞凌晶闸管模块厂家直销