湖北西门康SEMIKRON整流桥模块服务电话

时间:2024年04月15日 来源:

    请参阅图1~图7。需要说明的是,本实施例中所提供的图示以示意方式说明本实用新型的基本构想,遂图式中显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1所示,本实施例提供一种合封整流桥的封装结构1,所述合封整流桥的封装结构1包括:塑封体11,设置于所述塑封体11边缘的多个管脚,以及设置于所述塑封体11内的整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压供电基岛13及信号地基岛14。如图1所示,所述塑封体11呈长方形,用于将引线框架及器件整合在一起,并保护内部器件。在本实施例中,所述塑封体11采用sop8的外型尺寸,以此可与现有塑封体共用,进而减小成本。在实际使用中,可根据需要采用其他外型尺寸,不以本实施例为限。如图1所示,各管脚设置于所述塑封体11的边缘。具体地,在本实施例中,所述合封整流桥的封装结构1包括火线管脚l、零线管脚n、高压供电管脚hv、信号地管脚gnd、漏极管脚drain及采样管脚cs。作为本实施例的一种实现方式。 全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。流、全波整流以及桥式整流等。湖北西门康SEMIKRON整流桥模块服务电话

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    所述功率开关管可通过所述信号地基岛14及所述信号地管脚gnd实现散热。需要说明的是,所述控制芯片12可根据设计需要设置在不同的基岛上。当设置于所述信号地基岛14上时所述控制芯片12的衬底与所述信号地基岛14电连接,散热效果好。当设置于其他基岛上时所述控制芯片12的衬底与该基岛绝缘设置,包括但不限于绝缘胶,以防止短路,散热效果略差。具体设置方式可根据需要进行设定,在此不一一赘述。本实施例的合封整流桥的封装结构采用两基岛架构,将整流桥,功率开关管及逻辑电路集成在一个引线框架内,其中,一个引线框架是指形成于同一塑封体中的管脚、基岛、金属引线及其他金属连接结构;由此,本实施例可降低封装成本。如图2所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:所述合封整流桥的封装结构1,一电容c1,负载及一采样电阻rcs1。如图2所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图2所示,所述一电容c1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图2所示,所述负载连接于所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv与漏极管脚drain之间。具体地,在本实施例中。 安徽进口西门康SEMIKRON整流桥模块销售厂家在直流输出引脚铜板间有两块连接铜板,他们分别与输入引**流输入导线)相连。

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    所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上,接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd,漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain,采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs,高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构,将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内,由此降低封装成本。如图6所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:本实施例的合封整流桥的封装结构1,第四电容c4,变压器,二极管d,第五电容c5,负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图6所示,所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图6所示,所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。

    大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“~”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极,“一”为输出电压的负极,两个“~”为交流电压输入端),很容易确定出各电极。检测时,可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“一”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常,即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该二极管已击穿或开路损坏。高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已被击穿损坏。肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量。正常时,其正向电阻值(黑表笔接正极)为~,反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O,则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端肖特基二极管应先测出其公共端,判别出是共阴对管,还是共阳对管,然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值。整流桥堆全桥的极性判别方法极性的判别1)外观判别法。 全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。

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    n型二极管的下层为n型掺杂区,上层为p型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝;第三整流二极管dz3及第四整流二极管dz4为p型二极管,p型二极管的下层为p型掺杂区,上层为n型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝。所述一整流二极管dz1的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第二整流二极管dz2的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。所述第三整流二极管dz3的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于信号地基岛14上,负极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第四整流二极管dz4的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述信号地基岛14上,负极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。需要说明的是,所述整流二极管可以是由单一pn结构成的二极管,也可以是通过其他形式等效得到的二极管结构,包括但不限于mos管,在此不一一赘述。需要说明的是,本实用新型中所述的“连接至管脚”包括但不限于通过金属引线直接连接管脚(金属引线的一端设置在管脚上),还包括通过金属引线连接与管脚连接的导电部件。 整流桥作为一种功率元器件,非常广。应用于各种电源设备。辽宁进口西门康SEMIKRON整流桥模块厂家供应

流桥的构造如,可以将输入的含有负电压的波形转换成正电压。湖北西门康SEMIKRON整流桥模块服务电话

    ③由于此时整流桥的散热状况与散热器的热阻密切相关,因此散热器热阻的大小将直接影响到整流桥上温度的高低。由此可以看出,在生产厂家所提供的整流桥参数表中关于整流桥带散热器的热阻时,只可能是整流桥背面的结--壳(Rjc)或整流桥壳体上的总的结--壳热阻(正面和背面热阻的并联);此时的结--环境的热阻已经没有参考价值,因为它是随着散热器的热阻而明显地发生变化的。折叠壳温确定整流桥在强迫风冷冷却时壳温的确定由以上两种情况三种不同散热冷却形式的分析与计算,我们可以得出:在整流桥自然冷却时,我们可以直接采用生产厂家所提供的结--环境热阻(Rja),来计算整流桥的结温,从而可以方便地检验我们的设计是否达到功率元器件的温度降额标准;对整流桥采用不带散热器的强迫风冷情况,由于在实际使用中很少采用,在此不予太多的讨论。如果在应用中的确涉及该种情形,可以借鉴整流桥自然冷却的计算方法;对整流桥采用散热器进行冷却时,我们只能参考厂家给我们提供的结--壳热阻(Rjc),通过测量整流桥的壳温从而推算出其结温,达到检验目的。在此,我们着重讨论该计算壳温测量点的选取及其相关的计算方法,并提出一种在实际应用中可行、在计算中又可靠的测量方法。 湖北西门康SEMIKRON整流桥模块服务电话

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