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    时至今能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广地应用于显示器和照明。发光二极管工作原理编辑发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。发光二极管的部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压）。 PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。湖南Infineon英飞凌二极管工厂直销

    二极管压降变化补偿二极管正向压降与二极管整流同样实用，它会随温度的不同而发生很大变化，从而导致损耗增加，使电源出现容许误差。虽然不可能消除损耗，但可以使用二极管来减少某些应用中的容差错误。本文将通过三个实例来展示如何达成这一目标。您可以使用一个电阻器和一个齐纳二极管构建一款简单的低电流稳压器。这种稳压器通常适用于非临界应用，如内部偏置电压等。一般来说，电路会将输出电压的容许误差控制在约±10%的范围，但也可能通过串联一个二极管来改进调节功能。图1显示了在齐纳二极管电路中串联一个二极管，曲线绘制了齐纳二极管的不同电压对应的温度系数。当稳压二极管电压大于，温度系数逐渐变为正数，因此当工作温度升高时，齐纳二极管电压随之升高。如果与温度系数为负值的二极管配对，通过降低二极管正向电压，齐纳二极管增加的电压会被抵销，从而消除温度误差。齐纳二极管电压小于，对应的温度系数为负值，串联一个二极管实际上会增大调节误差。图1：将正温度系数齐纳二极管与负温度系数二极管串联可以降低温度误差。例如，°C，而传统二极管（BAT16）的温度系数在10mA电流下约为°C。二极管电流非常小时，温度系数会逐渐变小（-3mV/°C）。 Infineon英飞凌二极管代理商根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异。

    [7]二极管双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡，测试电压由兆欧表提供。[8]测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。将VBO与VBR进行比较，两者的值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。[8]二极管瞬态电压抑制二极管用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。[8]对于双向极型的瞬态电压抑制二极管，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。[8]二极管高频变阻二极管识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环一端为正极。[8]二极管变容二极管将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。[8]二极管单色发光二极管在万用表外部附接一节能，将万用表置R×10或R×100挡。

    增加“二极管”Q2的一个好处是可以使Q2的正向电压和Q1的电压非常接近，因为流经这两者的电流几乎完全一样。要想获得与Q2匹配的佳电压，应使用与Q1同样的电阻器。另一个好处是两个电阻器具有相同的温度系数，使两者可以更准确地追踪彼此的正向电压。与Vbe变化相关的温度误差少，因为它们彼此相互抵消（VFB~Vout—VbeQ1+VbeQ2）。将Q1和Q2放在相邻的位置非常重要，因为这样两者就处于相同的温度下，如有可能，请使用双晶体管封装。图3：电平移位器用Q2抵消Q1相关的变化。图4的第3个示例显示带有一组电荷泵级的升压转化器，每级“n”向总输出增加近似“V1”，得到结果“Vn+1”。图4：电荷泵二极管压降可以相互抵消。总输出电压的近似值为：在公式（1）中，可以看出Vn+1很大程度上由n的倍数决定，但受到二级管正向压降相关的“误差项”和电荷泵转换电容纹波电压的影响，会有所减少。假设所有二极管都是相同类型的，那么它们的正向电压等于：VD1=VDa=VDb，得出公式（2）：公式（2）中，右边的“误差项”使输出电压低于理想的n+1倍。要改进这点，VDa和VDb使用肖特基二极管，而VD1使用传统二极管，正向电压降等于：VDa=VDb=VD1/2，得出公式（3）：从公式（3）可以看出。 形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

    载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]二极管动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]二极管电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]二极管高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。 而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。青海代理Infineon英飞凌二极管货源充足

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上。湖南Infineon英飞凌二极管工厂直销

    尽管有些真正的结近似这种理想情况，大多数结是弯曲的。曲率加强了电场，降低了击穿电压。曲率半径越小，击穿电压越低。这个效应对薄结的击穿电压由很大的影响。大多数肖特基二极管在金属-硅交界面边缘有一个很明显的断层。电场强化能极大的降低肖特基二极管的测量击穿电压，除非有特别的措施能削弱Schottkybarrier边缘的电场。齐纳二极管怎么使用稳压二极管要工作有两个条件：1、反向加在稳压二极管上的电压要大于稳压管的稳压值。2、通过稳压管的电流要达到其工作条件（也就是反向电流要足够大，一般至少是几个mA）。稳压二极管稳压电路图由硅稳压管组成的简单稳压电路如图5-l9（a）所示。硅稳压管DW与负载Rfz，并联，R1为限流电阻。这个电路是怎样进行稳压的呢？若电网电压升高，整流电路的输出电压Usr也随之升高，引起负载电压Usc升高。由于稳压管DW与负载Rfz并联，Usc只要有根少一点增长，就会使流过稳压管的电流急剧增加，使得I1也增大，限流电阻R1上的电压降增大，从而抵消了Usr的升高，保持负载电压Usc基本不变。反之，若电网电压降低，引起Usr下降，造成Usc也下降，则稳压管中的电流急剧减小，使得I1减小，R1上的压降也减小，从而抵消了Usr的下降。 湖南Infineon英飞凌二极管工厂直销