陕西耐高温纳米银膏封装材料

纳米银膏，一种在功率半导体行业具有比较广应用前景的新材料产品。它以其低温烧结，高温服役，高导热导电和高可靠性的性能，很好的解决了功率器件散热及可靠性等问题。 纳米银膏的主要特点是其纳米级别的银颗粒，这些颗粒通过特殊的制备工艺在膏体中均匀分布，形成了一种高度稳定的复合材料。这种材料具有良好的导电性和导热性，能够有效地提高器件的性能和稳定性。同时，纳米银膏还具有良好的抗氧化性和耐腐蚀性，能够在各种恶劣环境下保持稳定的工作状态。 总的来说，随着微波射频器件、5G通信网络基站、新能源汽车为的功率器件的发展，半导体器件不断向小型化、智能化、高集成、高可靠方向发展，半导体器件功率越来越大，散热要求越来越高，纳米银膏将在功率半导体行业中发挥更大的作用。纳米银膏使用范围包括芯片和基板，芯片和热沉，以及基板/热沉和散热器的焊接。陕西耐高温纳米银膏封装材料

在当前的功率半导体封装行业中，纳米银膏的应用已经成为一种趋势。纳米银膏在半导体封装上具有许多优势。首先，纳米银膏具有出色的导热性能。根据实验数据显示，纳米银膏的热导率是传统银胶的10倍以上，这意味着使用纳米银膏的半导体器件能够更有效地传导热量，降低器件的工作温度，提高稳定性和寿命。其次，纳米银膏具有优异的导电性能。实验数据显示，纳米银膏的电阻率是传统银胶的5倍以上，这意味着使用纳米银膏的半导体器件能够实现更高效的电能传输，提高工作效率。此外，纳米银膏还具有高可靠性。实验数据显示，纳米银膏的性能衰减速度远低于传统银胶，这意味着使用纳米银膏的半导体器件能够在长期服役时保持更好的性能，提高使用寿命。综上所述，纳米银膏在半导体封装上的优势显而易见，其导热性能、导电性能和高可靠性远超过传统银胶。因此，纳米银膏是提高器件性能和可靠性的理想选择。浙江高导热纳米银膏生产厂家纳米银膏通过纳米银颗粒的特殊结构和表面效应实现了高导热导电性能。

纳米银膏在SIC/GaN功率器件上的应用背景是由于功率器件的快速发展和广泛应用。这些器件的设计和制造趋向于高频开关速率、高功率密度和高结温等方向发展。尤其是第三代半导体材料SiC/GaN的出现，相对于传统的Si基材料，具有高结温、低导通电阻、高临界击穿场强和高开关频率等性能优势。 在常规封装的功率开关器件中，芯片底部的互连通常采用钎焊工艺。然而，考虑到无铅化的要求，所选择的焊料熔点都低于250℃，例如常用的SnAgCu系和SnSb系焊料。因此，这些焊料无法充分发挥SiC/GaN芯片的高耐温性能。此外，焊料在界面处容易产生脆硬的金属间化合物，给产品的可靠性带来了新的挑战。 目前，纳米银烧结技术是一种有效的解决方案。银具有高熔点（961℃），将其作为连接材料可以极大提高器件封装结构的温度耐受性。而纳米银的烧结温度却低于250℃，使用远低于熔点的烧结温度就能得到较为致密的组织结构。烧结后的银层具有高耐热温度和连接强度，同时具有良好的导热和导电性能。

纳米银膏在半导体封装中有许多优势，相对于传统的锡银铜焊料来说，它能够提供更高的可靠性和性能。首先，纳米银膏具有出色的导电性能。由于其纳米级颗粒的尺寸，纳米银膏能够形成更紧密的连接，提高电导率和热导率。这使得半导体器件能够更高效地传输电流，在工作过程中减少热量的产生和积累，从而提高整个系统的稳定性和可靠性。其次，纳米银膏具有良好的焊接性能。相比锡银铜焊料，纳米银膏的烧结固化温度更低，能够在较低的温度下进行焊接操作。这不仅减少了对半导体器件的热应力，还提高了焊接速度和效率。纳米银膏还具有良好的可加工性。由于其低粘度和高流动性，纳米银膏能够方便地进行涂覆、印刷等加工工艺。这使得半导体封装过程更加简单、高效，并降低了生产成本。总之，纳米银膏在半导体封装中具有导电性能出色、焊接性能良好、耐腐蚀性强以及可加工性好等优势。它的应用将进一步提高半导体器件的性能和可靠性，推动半导体行业的发展。纳米银膏是一款低温烧结焊料。

在-55~165℃、1000小时的热循环试验中，研究了纳米银膏烧结中贴片工艺对烧结质量的影响。实验测试了不同芯片贴装速度和深度银烧结接头的高温可靠性。结果显示，当芯片贴装速度较慢时，经过热循环后芯片边缘区域出现裂纹扩展，导致剪切强度迅速下降。而当芯片贴装速度较快时，烧结接头表现出良好的高温可靠性。因此，尽管不同样品的烧结工艺相同，但芯片贴装条件不同会导致烧结接头可靠性存在差异。因此，选择合适的工艺条件和参数是实现高质量银烧结接头的关键。因此，在使用纳米银膏时，应严格按照产品工艺规格书上的贴片工艺参数设置好贴片机的参数，以获得良好的烧结效果。纳米银膏的烧结工艺可以提升射频带宽，并允许降低引脚间距，可以大幅提高半导体激光器的性能。安徽低温固化纳米银膏

纳米银膏可适配锡膏的工艺和设备。陕西耐高温纳米银膏封装材料

纳米银膏烧结的工艺参数主要包括烧结压力、烧结温度、烧结时间、升温速率和烧结气氛。烧结压力可以提供驱动力，促进银颗粒间的机械接触、颈生长和银浆料与金属层间的扩散反应，有助于消耗有机物排出气体，减少互连层孔隙，形成稳定致密的银烧结接头。适当提高烧结温度、保温时间和升温速率可以获得更好的烧结接头。纳米银颗粒的烧结受有机物蒸发的控制，较高的温度、保温时间和升温速率可以加快有机物的蒸发，有利于烧结接头的形成。然而，过高的温度、升温速率和过长的保温时间会导致晶粒粗化，过大的升温速率会导致有机物迅速蒸发，产生空洞和裂纹等缺陷，影响连接强度和可靠性。纳米银焊膏常用的烧结气氛为氮气，因为Cu基板表面易生成氧化物，烧结时需要在氮气氛围下进行，以避免氧化物的产生，从而影响烧结质量。陕西耐高温纳米银膏封装材料