四川物理抛光液品牌
玻璃抛光液简介
玻璃抛光液用于抛光蒙砂玻璃与喷砂玻璃,以加深玻璃的无手印效果,手感光滑,颗粒感可以随意由操作时间而调整,无手印效果明显,可以加深无手印的效果,适用于生产各种移门,抛光后的玻璃表面光滑但颗粒感强.抛光工艺简单易操作。它适用于各类超硬玻璃,例如,水晶工艺品玻璃,高铅玻璃,高硼玻璃,微晶玻璃,光学石英玻璃等等,这类玻璃的特点是化学稳定性好,硬度很高,用普通抛光液进行处理的时候费时费力,而且很容易造成缺点,而玻璃抛光液DF-808由于添加了有机促进剂,抛光时间很短,一般在5分钟内即可完成,抛光后的玻璃明亮清透,不留瑕疵。玻璃抛光液是东莞澳达化工专为手机表面而研发的其操作简便,可视污渍的多少只需将玻璃抛光液用超声清洗、自动浸泡或手洗即可彻底清洁手机表面的各种污渍且不伤手机。 玻璃抛光液具有抛光速度快、使用寿命长、良好的悬浮性、不沾附、能适合于各种材料的抛光,适合于抛光高精密玻璃,能有效解决材质划伤和抛光粉堆积造成的表面斑点现象。 抛光液具有性能稳定、***,对环境无污染等优点。四川物理抛光液品牌
光学玻璃抛光液是专为手机表面而研发的其操作简便,可视污渍的多少只需将光学玻璃抛光液用超声清洗、自动浸泡或手洗即可彻底清洁手机表面的各种污渍且不伤手机。
光学玻璃抛光液具有抛光速度快、使用寿命长、良好的悬浮性、不沾附、能适合于各种材料的抛光,适合于抛光高精密玻璃,能有效解决材质划伤和抛光粉堆积造成的表面斑点现象。
一、光学玻璃抛光液技术参数
1、光学玻璃抛光液中心粒径 d50:1um-1.5um
2、光学玻璃抛光液PH 值:7
二、光学玻璃抛光液适用范围: 光学玻璃抛光液***适用于精密光学器件、硬盘基片、液晶屏幕显示器等,高精密度光学玻璃抛光.光学镜头、光纤连接器、微晶玻璃基板、晶体表面等方面的精密抛光。 四川物理抛光液品牌本公司销售的纳米抛光液应用范围:透明陶瓷:高压钠灯灯管、EP-ROM窗口。
氧化铝抛光液含有溶胶氧化铝,可经过朴实的机械抛光来***地去除资料,达到优异的外表处理效果。而非结晶***抛光液,具有弱碱性,经过化学-机械的抛光方法与资料外表形成反应层,柔软的***去除反应层,可得到高质量的外表。 因而,不同类型的终究抛光液采用不同的抛光机制。不同的资料类型决议着是挑选氧化铝抛光液仍是挑选氧化硅抛光液。
用氧化铝抛光液朴实机械抛光可使样品外表平整,但是却无法确保铜不发生,因而氧化铝抛光液**适合涂层丈量和边界层分析。用氧化硅抛光液,经过化学-机械抛光可在焊料上发生腐蚀,还有轻微的抛光浮凸,但却不会损伤样品,因而氧化硅抛光液**适合铜的微观**分析和EBSD了。
氧化铝抛光液
产品描述:
该产品采用硅改性刚玉为主要原料,在严格控制粒径、改善粒子表面特性和利用化学增强抛光原理的基础上所开发的适合合金基材稳定抛光的一款新产品;该产品悬浮体系稳定,被抛光工件表面稳定,粗糙度低,进而***提升产品表面质量,降低总体生产成本。与传统抛光粉相比,抛光液使用简便、抛光表面易清洗、无抛光设备腐蚀、在抛光机以及抛光垫上无沉积,广泛应用于各类不锈钢、铝合金基材的抛光。
产品特点:
l 颗粒分散均匀,不团聚,有效避免抛光过程中由于颗粒团聚导致的工件表面划伤缺点;
l 颗粒粒径分布适中,很大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率,可以提高抛光精度,
l 运用抛光过程中的化学新作用,提高抛光速度,改善抛光表面的质量;
l 低VOC配方,使用过程避免粉尘产生,关注环保和人体健康安全 本公司销售的纳米抛光液应用范围:催化剂、催化载体、分析试剂。
蓝宝石研磨液
蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石抛光液)是用于在蓝宝石衬底的研磨和减薄的研磨液。 蓝宝石研磨液由质量聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。
蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。
蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:
1. 外延片生产前衬底的双面研磨:多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道,根据**终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3um、1um不等。
2. LED芯片背面减薄 为解决蓝宝石的散热问题,需要将蓝宝石衬底的厚度减薄,从450nm左右减至100nm左右。主要有两步:先在横向减薄机上,用50-70um的砂轮研磨磨去300um左右的厚度;再用抛光机(秀和、NTS、WEC等)针对不同的研磨盘(锡/铜盘),采用合适的蓝宝石研磨液(水/油性)对芯片背面抛光,从150nm减至100nm左右。 碳化硅抛光液主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。苏州物理抛光液价格查询
本公司销售的纳米抛光液应用范围:涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、高级耐水材料。四川物理抛光液品牌
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:
(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。
(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。
硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。 四川物理抛光液品牌