四川氮化硅陶瓷厂商

结构陶瓷的应用

结构陶瓷主要是指发挥其机械、热、化学等性能的一大类新型陶瓷材料，它可以在许多苛刻的工作环境下服役，因而成为许多新兴科学技术得以实现的关键。

光通信产业

光通信产业是当前世界上发展**为迅速的高技术产业之一，全世界产值已超过30亿美元。其所以发展如此迅速主要依赖于光纤损耗机理的研究以及光纤接头结构材料的使用。我所已成功地运用氧化锆增韧陶瓷材料开发出光纤接头和套管，性能优良，很好地满足了我国光通信产业的发展需要。

随着半导体器件的高密度化和大功率化，集成电路制造业的发展迫切需要研制一种绝缘性好导热快的新型基片材料。80年代中后期问世的高导热性氮化铝和碳化硅基板材料正逐步取代传统的氧化铝基板，在这一领域，我所研制成功的高热导氮化铝陶瓷热导率达到228 W/m×K，性能居国内外前列。氮化铝-玻璃复合材料，已成为当代电子封装材料领域的研究热点，其热导率是氧化铝-玻璃的5-10倍，烧结温度在1000°C以内，可与银、铜等布线材料共烧，从而制造出具有良好导热和电性能多层配线板，我所研制的氮化铝-玻璃复合材料，热导率达到10.8 W/m×K的，在国际上居于**地位，很好地满足了大规模集成电路小型化、密集化的要求。

纺织陶瓷、又称纺织瓷用陶瓷材料制作的各类导丝件(如导丝钩、导丝义、导丝管、导丝环、导丝块等、瓷质细腻、硬度高、耐磨性好、作面光滑、对纤维摩擦系数小。   防止陶瓷材质一般为硬质瓷、高铝瓷、刚玉瓷、铬刚玉或人 造蓝宝石等，如纺织设备于高速转动场合因产生静电作川会使纤维牛成毛疵，则采用导屯性好的金红石瓷和氧化锆陶瓷替代。   成型力一般大都采用热压铸法近来也有采用注塑成型和等静压成型新工一艺的。纺织陶瓷在天然纤维.合成纤维及玻璃纤维生产中得到广泛应用。四川氮化硅陶瓷厂商用陶瓷材料替代轴承钢等金属做轴承，目的在于利用前者比后者更好的耐磨、**度、高刚度、比重小等性能。

目前，制备超细活化易烧结氧化铝粉体的方法分为二大类，一类是机械法，另一类是化学法。

机械法

是用机械外力作用使Al2O3粉体颗粒细化，常用的粉碎工艺有球磨粉碎、振磨粉碎、砂磨粉碎、气流粉碎等等。通过机械粉碎方法来提高粉料的比表面积，尽管是有效的，但有一定限度，通常只能使粉料的平均粒径小至1μｍ左右或更细一点，而且有粒径分布范围较宽，容易带入杂质的缺点。

化学法

近年来，采用湿化学法制造超细高纯Al2O3粉体发展较快，其中较为成熟的是溶胶—凝胶法。由于溶胶高度稳定，因而可将多种金属离子均匀、稳定地分布于胶体中，通过进一步脱水形成均匀的凝胶（无定形体），再经过合适的处理便可获得活性极高的超微粉混合氧化物或均一的固溶体。

结构陶瓷是具有耐高温、耐冲刷、耐腐蚀、高硬度、**度、低蠕变速率等优异力学、热学、化学性能，常用于各种结构部件的先进陶瓷。  

结构陶瓷具有优越的强度、硬度、绝缘性、热传导、耐高温、耐氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高温强度等特色，因此，在非常严苛的环境或工程应用条件下，所展现的高稳定性与优异的机械性能，在材料工业上已倍受瞩目，其使用范围亦日渐扩大。而全球及国内业界对于高精密度、高耐磨耗、高可靠度机械零组件或电子元件的要求日趋严格，因而陶瓷产品的需求相当受重视，其市场成长率也颇可观。 用陶瓷材料替代轴承钢等金属做轴承能减少磨损、降低噪声、减少振动、使维护更容易。

HTCC（Hight-Temperature Co-fired Ceramic)

HTCC 又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无玻璃材质，因此，HTCC必须在高温1200~1600°C环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔于印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，***再叠层烧结成型。

DBC（Direct Bonded Copper)

DBC 直接接合铜基板，将高绝缘性的AL2O3或AIN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后，经由高温1065~1085°C的环境加热，使铜金属因高温氧化，扩撒与AL2O3材质产生（Eutectic）共晶熔体，是铜金属陶瓷基板粘合，形陶瓷复合金属基板，***依据线路设计，以蚀刻方式备至线路。 利用碳化硅陶瓷的导热性可制作高温下的热交换器材料。四川氮化硅陶瓷厂商

现阶段较普遍的陶瓷散热基板种类共有HTCC、LTCC、DBC、DPC四种。四川氮化硅陶瓷厂商

    基板在我国的开展已有很长一段时间的前史，基板类型一直在不断应需增加，传统的基板包含了纤维基板、FR-4、铝基板、铜基板等类型。随着工业要求的提升、细化，遭到热耗散和热胀大系数匹配性等方面的限制，当传统的基板性能难以满足新需求时，人们不得不开始寻求替代品，在寻求的过程中根据林林总总的需求自然会对各种基板进行比照，择优而购。作为比较好挑选，采用了LAM技术（激光快速活化金属化技术Laserhigh-peedactivationmetallization）的氮化铝陶瓷基板让金属层与陶瓷之间结合得更严密，金属层与陶瓷之间结合强度高，比较大能够到达45，Pa（大于1mm厚陶瓷片自身的强度）。使氮化铝基板具有更牢、更低阻的金属膜层，导电层厚度在1μm～1mm内还可恣意定制。比较传统陶瓷基板，铝基基板的热导率是1～2W/mk，尽管铜自身的导热率到达了，但绝缘层的导热率只要，好一点的能到达。而氮化铝陶瓷基板具有更高的热导率，数据为170～230W/。举例来说热胀大系数（CTE）。在LED照明领域，主流基板CTE平均导热率为14~17ppm/C，而硅芯片的CTE为6ppm/C，在温差过大、温度剧变的情况下，PCB会比芯片封片封装胀大得更剧烈，导致脱焊问题。在这种困扰之下。 四川氮化硅陶瓷厂商

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