四川碳化硅衬底4寸n型

以碳化硅、氮化镓、铌酸锂为**的高性能半导体晶体广泛应用于信息传输、光存储、光通讯、微波、LED、汽车电子、航空航天、高速列车、智能电网和超高压输变电、石油勘探、雷达与通信等国民经济和**领域。碳化硅单晶材料是目前发展**为成熟的第三代半导体材料，其禁带宽度是硅的3倍，饱和电子漂移速率是硅的2倍，临界击穿电场大于硅的10倍或砷化镓的5倍，热导率是蓝宝石的20倍或砷化镓的10倍，化学稳定性好，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波等电子应用领域和航天**、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。 SiC会发生氧化反应，所以在其表面加一SiO2层以防止氧化。四川碳化硅衬底4寸n型

SiC单晶生长经历了3个阶段，即Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC高温升华分解这一特性，可采用升华法即Lely法来生长SiC晶体。升华法是目前商业生产SiC单晶**常用的方法，它是把SiC粉料放在石墨坩埚和多孔石墨管之间，在惰性气体（氩气）环境温度为2 500℃的条件下进行升华生长，可以生成片状SiC晶体。由于Lely法为自发成核生长方法，不容易控制所生长SiC晶体的晶型，且得到的晶体尺寸很小，后来又出现了改良的Lely法。改良的Lely法也被称为采用籽晶的升华法或物***相输运法[10]（简称PVT法）。PVT法的优点在于：采用SiC籽晶控制所生长晶体的晶型，克服了Lely法自发成核生长的缺点，可得到单一晶型的SiC单晶，且可生长较大尺寸的SiC单晶。四川碳化硅衬底4寸n型SiC单晶生长经历了3个阶段，即Acheson法、Lely法、改良Lely法。

半导体材料作为现代信息和新能源技术的基础受到人们的***关注。它的发展和应用带给人们福音，尤其是在通信、高速计算、大容量信息处理、可再生清洁能源、空间防御、电子对抗以及武器装备的微型化、智能化等等这些对国民经济和**至关重要的领域出现了巨大的进步。作为第3代宽带隙半导体材料的**，碳化硅（SiC）单晶材料具有禁带宽度大（约是Si的3倍）、热导率高（约是Si的3.3倍）、电子饱和迁移速率高（约是Si的2.5倍）和击穿电场高（约是Si的10倍）等性质。

国际上基本上采用PVT法制备碳化硅单晶。目前能提供4H-SiC晶片的企业主要集中在欧美和日本。其中Cree产量占全球市场的85%以上，占领着SiC晶体生长及相关器件制作研究的前沿。目前，Cree的6英寸SiC晶片已经商品化，可以小批量供货。此外，国内外还有一些初具规模的SiC晶片供应商，年销售量在1万片上下。Cree生产的SiC晶片有80%以上是自已消化的，用于LED衬底材料，所以Cree是全球***一家大量生产SiC基LED器件的公司，这个业务使得它的市场表现突出，公司市盈率长期居于高位Cree现在供应的主流衬底片主要是4英寸和6英寸大尺寸晶片。

碳化硅晶体材料生长、加工难度极大，目前世界上只有少数几家企业能够实现碳化硅晶体材料的产业化。美国科锐公司（Cree）是碳化硅半导体行业的先行者和**者，已研制出了6英寸碳化硅衬底片。2012年，该公司碳化硅晶体材料的产量在80—100万片之间，控制了国际碳化硅衬底片的市场价格和质量标准。美国二六（II-VI）、道康宁（Dow Corning）、德国SiCrystal AG、日本新日铁等公司也相继推出了2—3英寸碳化硅衬底片生产计划，抢占碳化硅市场份额。SiC的热稳定性比较高。在常压下不会熔化。成都碳化硅衬底4寸半绝缘

目前商用碳化硅外延设备生长速率一般为每小时10μm，且不能持续生长。四川碳化硅衬底4寸n型

我国石化和化工行业增长率和增长速度变化幅度较大，说明了行业中私营有限责任公司发展存在不稳定性，尚未进入具有一定规律的阶段。在产业高速增长时期，产能增长超出市场和GDP发展需求，部分行业和产品形成过剩产能。中国化工产业快速增长，总产值从2012年的约3万亿元增长至2015年的约4.5万亿元。2017年节能环保产业产值5.8万亿，2018年突破7万亿元。随着贸易型等政策法规的不断加码，我国化工产业市场空间未来还将持续扩大。保守预计，2020年节能化工产业产值有望突破8万亿元。销售主要是无定型的粉剂、液体和膏状产品。从市场地域上来看，中国是世界上比较大的建筑化学品市场，其次是西欧和北美，这三大市场占全球总市场的70%。各种水性涂料、高固体分/无溶剂涂料、低表面处理底漆、纳米改性涂料、导电聚苯胺涂料、单组分潮气固化聚氨酯涂料、超高压水喷射清洗技术，以及可剥离防护涂料和新型的对海洋环境无污染的防污涂料等[ "陶瓷研磨球", "碳化硅", "陶瓷精加工", "抛光液" ]被不断关注和开发。四川碳化硅衬底4寸n型

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